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しきい値電圧自己調整MOSFETおよびSRAMセルの超低電圧(0.1V)動作解析
https://chuo-u.repo.nii.ac.jp/records/11413
https://chuo-u.repo.nii.ac.jp/records/114135cd212be-66e3-42c0-88d7-b3df521df15d
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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本文を見る (4.1 MB)
Restricted Access
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| Item type | 学位論文(学内限定公開)(1) | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2015-12-21 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | しきい値電圧自己調整MOSFETおよびSRAMセルの超低電圧(0.1V)動作解析 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | An Analysis of Ultra-Low Voltage (0.1V) Operations of Vth Self-Adjusting MOSFET and SRAM Cell | |||||
| 言語 | en | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_46ec | |||||
| 資源タイプ | thesis | |||||
| 著者 |
上田, 晃頌
× 上田, 晃頌 |
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| 著者別名(英) | ||||||
| 識別子Scheme | WEKO | |||||
| 識別子 | 37035 | |||||
| 姓名 | UEDA, Akitsugu | |||||
| 言語 | en | |||||
| 寄与者 | ||||||
| 寄与者識別子Scheme | WEKO | |||||
| 寄与者識別子 | 23439 | |||||
| 姓名 | 築山, 修治 | |||||
| 姓名 | ツキヤマ, シュウジ | |||||
| 言語 | ja-Kana | |||||
| 寄与者別名(英) | ||||||
| 識別子Scheme | WEKO | |||||
| 識別子 | 23439 | |||||
| 姓名 | TSUKIYAMA, Shuji | |||||
| 言語 | en | |||||
| 内容記述 | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | 2014年度 | |||||
| 公開者 | ||||||
| 出版者 | 中央大学理工学部事務室 | |||||
| 権利 | ||||||
| 権利情報 | この資料の著作権は、資料の著作者または学校法人中央大学に帰属します。著作権法が定める私的利用・引用を超える使用を希望される場合には、公開者へお問い合わせください。 | |||||
| フォーマット | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | application/pdf | |||||
| 著者版フラグ | ||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||
