WEKO3
アイテム
配列を制御した金属錯体のヘテロ接合を利用した分子メモリ機能の発現
https://chuo-u.repo.nii.ac.jp/records/11513
https://chuo-u.repo.nii.ac.jp/records/11513e110379d-9160-43ff-a852-9ac1af4daae9
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
|---|---|---|
本文を見る (45.2 kB)
Restricted Access
|
|
| Item type | 学位論文(学内限定公開)(1) | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2016-01-12 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | 配列を制御した金属錯体のヘテロ接合を利用した分子メモリ機能の発現 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | Molecular-scale Memory Devices Based on Hetero-layer Junction of Sequential Assembled Ru Complexes | |||||
| 言語 | en | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_46ec | |||||
| 資源タイプ | thesis | |||||
| 著者 |
永嶌, 匠
× 永嶌, 匠 |
|||||
| 著者別名(英) | ||||||
| 識別子Scheme | WEKO | |||||
| 識別子 | 37235 | |||||
| 姓名 | NAGASHIMA, Takumi | |||||
| 言語 | en | |||||
| 内容記述 | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | 2014年度 | |||||
| 公開者 | ||||||
| 出版者 | 中央大学理工学部事務室 | |||||
| 権利 | ||||||
| 権利情報 | この資料の著作権は、資料の著作者または学校法人中央大学に帰属します。著作権法が定める私的利用・引用を超える使用を希望される場合には、公開者へお問い合わせください。 | |||||
| フォーマット | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | application/pdf | |||||
