| Item type |
紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1) |
| 公開日 |
2012-10-01 |
| タイトル |
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タイトル |
端ゲート付き試料における量子ホール効果 |
| タイトル |
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タイトル |
Gate Bias Effects on Samples with Edge Gates in the Quantum Hall Regime |
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言語 |
en |
| 言語 |
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言語 |
jpn |
| 資源タイプ |
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資源タイプ識別子 |
http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 |
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資源タイプ |
departmental bulletin paper |
| ID登録 |
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ID登録 |
10.24789/00001258 |
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ID登録タイプ |
JaLC |
| 著者 |
若林, 淳一
風間, 重雄
長嶋, 登志夫
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| 著者別名(英) |
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識別子Scheme |
WEKO |
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識別子 |
23793 |
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姓名 |
WAKABAYASHI, Jun-ichi |
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言語 |
en |
| 著者別名(英) |
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識別子Scheme |
WEKO |
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識別子 |
23794 |
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姓名 |
KAZAMA, Shigeo |
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言語 |
en |
| 著者別名(英) |
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識別子Scheme |
WEKO |
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識別子 |
23796 |
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姓名 |
NAGASHIMA, Toshio |
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言語 |
en |
| 抄録 |
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内容記述タイプ |
Abstract |
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内容記述 |
We have fabricated GaAs/AlGaAs heterostructure Hall samples that have edge gate with several widths along both sides of the sample. The gate width dependence of an effect of the gate voltage to the Hall resistance was measured at the middle of a transition region between the adjacent quantum Hall plateaus. The results have been analyzed based on two model functions of current distribution;an exponential type and the modified Beenakker type. The results of the former have shown qualitative agreement with previous experiments on the temperature dependence and confirmed the existence of the bulk edge current in the middle of the transition region between the adjacent quantum Hall plateaus. However, the quantitative agreement was not enough, which is not understood at present. |
| 内容記述 |
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内容記述タイプ |
Other |
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内容記述 |
【査読有】 |
| 書誌情報 |
中央大学理工学研究所論文集
巻 6,
p. 9-17,
発行日 2001-03-31
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| 出版者 |
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出版者 |
中央大学理工学研究所 |
| ISSN |
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収録物識別子タイプ |
ISSN |
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収録物識別子 |
1343-0068 |
| 権利 |
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権利情報 |
この資料の著作権は、資料の著作者または学校法人中央大学に帰属します。著作権法が定める私的利用・引用を超える使用を希望される場合には、掲載誌発行部局へお問い合わせください。 |
| フォーマット |
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内容記述タイプ |
Other |
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内容記述 |
application/pdf |
| 著者版フラグ |
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出版タイプ |
VoR |
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出版タイプResource |
http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 |
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