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  1. 大学院研究年報 理工学研究科編
  2. 第49号(2019)電気電子情報通信工学専攻

ストレージ|クラス|メモリ及びNAND型フラッシュメモリを用いた半導体ストレージにおけるデータ保持時間を考慮した高信頼化手法に関する研究

https://chuo-u.repo.nii.ac.jp/records/14446
https://chuo-u.repo.nii.ac.jp/records/14446
65f1cab7-9c28-4513-97fb-e7e93c5050be
Item type 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1)
公開日 2022-06-30
タイトル
タイトル ストレージ|クラス|メモリ及びNAND型フラッシュメモリを用いた半導体ストレージにおけるデータ保持時間を考慮した高信頼化手法に関する研究
タイトル
タイトル Research on Reliability Enhancement Method Considering Data-retention Time for Storage Class Memory/NAND Flash Memory Hybrid Storage
言語 en
言語
言語 jpn
資源タイプ
資源タイプ識別子 http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
資源タイプ departmental bulletin paper
アクセス権
アクセス権 metadata only access
アクセス権URI http://purl.org/coar/access_right/c_14cb
著者 鈴木, 敦也

× 鈴木, 敦也

鈴木, 敦也

ja-Kana スズキ, アツヤ

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著者別名(英)
識別子Scheme WEKO
識別子 52637
姓名 SUZUKI, Atsuya
言語 en
書誌情報 大学院研究年報 理工学研究科編

巻 49, 発行日 2019-08-01
出版者
出版者 中央大学大学院研究年報編集委員会、中央大学理工学部事務室
権利
権利情報 この資料の著作権は
権利
権利情報 資料の著作者または学校法人中央大学に帰属します。著作権法が定める私的利用
権利
権利情報 引用を超える使用を希望される場合には
権利
権利情報 公開者へお問い合わせください。
寄与者
寄与者識別子Scheme WEKO
寄与者識別子 52638
姓名 竹内, 健
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Ver.1 2023-05-15 15:13:22.936743
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