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  1. 大学院研究年報 理工学研究科編
  2. 第48号(2018)電気電子情報通信工学専攻

0.6V動作抵抗変化型メモリ書き込み電圧生成回路及びパルス幅制御・ニューロモルフィック集積回路の研究

https://chuo-u.repo.nii.ac.jp/records/14736
https://chuo-u.repo.nii.ac.jp/records/14736
535b3948-0de1-4e1f-b194-7370efcd93af
Item type 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1)
公開日 2022-06-30
タイトル
タイトル 0.6V動作抵抗変化型メモリ書き込み電圧生成回路及びパルス幅制御・ニューロモルフィック集積回路の研究
タイトル
タイトル Research on 0.6V Operation Boost Converter for Resistive Random Access Memories and Pulse Width Modulation Neuromorphic LSI
言語 en
言語
言語 jpn
資源タイプ
資源タイプ識別子 http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
資源タイプ departmental bulletin paper
アクセス権
アクセス権 metadata only access
アクセス権URI http://purl.org/coar/access_right/c_14cb
著者 鶴見, 洸太

× 鶴見, 洸太

鶴見, 洸太

ja-Kana ツルミ, コウタ

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著者別名(英)
識別子Scheme WEKO
識別子 53304
姓名 TSURUMI, Kota
言語 en
書誌情報 大学院研究年報 理工学研究科編

巻 48, 発行日 2018-08-01
出版者
出版者 中央大学大学院研究年報編集委員会、中央大学理工学部事務室
権利
権利情報 この資料の著作権は、資料の著作者または学校法人中央大学に帰属します。著作権法が定める私的利用・引用を超える使用を希望される場合には、公開者へお問い合わせください。
寄与者
寄与者識別子Scheme WEKO
寄与者識別子 53305
姓名 竹内, 健
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Ver.1 2023-05-15 15:07:59.751398
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