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  1. 大学院研究年報 理工学研究科編
  2. 第48号(2018)電気電子情報通信工学専攻

抵抗変化型メモリの書き換え耐久性向上のための不良メモリセル予測手法に関する研究

https://chuo-u.repo.nii.ac.jp/records/14713
https://chuo-u.repo.nii.ac.jp/records/14713
a839bef5-091c-44c4-8bb6-417a1dd2a935
Item type 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1)
公開日 2022-06-30
タイトル
タイトル 抵抗変化型メモリの書き換え耐久性向上のための不良メモリセル予測手法に関する研究
タイトル
タイトル Research on Error Prediction Scheme to Improve Endurance of Resistive Random Access Memory
言語 en
言語
言語 jpn
資源タイプ
資源タイプ識別子 http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
資源タイプ departmental bulletin paper
アクセス権
アクセス権 metadata only access
アクセス権URI http://purl.org/coar/access_right/c_14cb
著者 猪瀬, 貴史

× 猪瀬, 貴史

猪瀬, 貴史

ja-Kana イノセ, タカシ

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著者別名(英)
識別子Scheme WEKO
識別子 53235
姓名 INOSE, Takashi
言語 en
書誌情報 大学院研究年報 理工学研究科編

巻 48, 発行日 2018-08-01
出版者
出版者 中央大学大学院研究年報編集委員会、中央大学理工学部事務室
権利
権利情報 この資料の著作権は、資料の著作者または学校法人中央大学に帰属します。著作権法が定める私的利用・引用を超える使用を希望される場合には、公開者へお問い合わせください。
寄与者
寄与者識別子Scheme WEKO
寄与者識別子 53236
姓名 竹内, 健
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Ver.1 2023-05-15 15:08:25.058659
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