WEKO3
アイテム
抵抗変化型メモリの書き換え耐久性向上のための不良メモリセル予測手法に関する研究
https://chuo-u.repo.nii.ac.jp/records/14713
https://chuo-u.repo.nii.ac.jp/records/14713a839bef5-091c-44c4-8bb6-417a1dd2a935
Item type | 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1) | |||||||||
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公開日 | 2022-06-30 | |||||||||
タイトル | ||||||||||
タイトル | 抵抗変化型メモリの書き換え耐久性向上のための不良メモリセル予測手法に関する研究 | |||||||||
タイトル | ||||||||||
言語 | en | |||||||||
タイトル | Research on Error Prediction Scheme to Improve Endurance of Resistive Random Access Memory | |||||||||
言語 | ||||||||||
言語 | jpn | |||||||||
資源タイプ | ||||||||||
資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||||||
資源タイプ | departmental bulletin paper | |||||||||
アクセス権 | ||||||||||
アクセス権 | metadata only access | |||||||||
アクセス権URI | http://purl.org/coar/access_right/c_14cb | |||||||||
著者 |
猪瀬, 貴史
× 猪瀬, 貴史
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著者別名(英) | ||||||||||
姓名 | INOSE, Takashi | |||||||||
言語 | en | |||||||||
書誌情報 |
大学院研究年報 理工学研究科編 巻 48, 発行日 2018-08-01 |
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出版者 | ||||||||||
出版者 | 中央大学大学院研究年報編集委員会、中央大学理工学部事務室 | |||||||||
権利 | ||||||||||
権利情報 | この資料の著作権は、資料の著作者または学校法人中央大学に帰属します。著作権法が定める私的利用・引用を超える使用を希望される場合には、公開者へお問い合わせください。 | |||||||||
寄与者 | ||||||||||
姓名 | 竹内, 健 |